体Si和SOI上高k介质材料研究和应用探索
文献类型：学位论文
| 作者 | 章宁琳 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 林成鲁 ; 宋志棠 |
| 关键词 | 介质材料:6207 应用探索:4935 顶层硅:3030 光子晶体波导:2944 界面产物:2372 MOS电容:1911 MOS器件:1679 串联电阻:1578 超高真空:1578 空气孔:1472 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | SOI技术和高κ介质材料的研究是微电子领域发展的前沿课题，本文根据国家973项目，国家自然科学基金等国家任务的需要，开展了体Si和SOI上高κκ介质材料的制备、性能及其应用的研究，获得的主要结果如下： 采用超高真空电子束蒸发法制得了非晶态的，成分深度分布均一的ZrO_2薄膜。该薄膜具有较好的热稳定性，在O_2气氛中快速退火温度不高于600℃时，ZrO_2／Si界面陡直，没有界面产物，且薄膜非晶结构能够保持稳定。但当退火温度高达700℃以上时，ZrO_2薄膜由非晶态转变为非晶态和多晶态的混合状态，并且在Zr |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83092]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章宁琳 . 体Si和SOI上高k介质材料研究和应用探索[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2003. |
入库方式： OAI收割
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