非单一SiO_2埋层的SOI新结构研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 谢欣云 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 林成鲁 ; 刘卫丽 |
| 关键词 | SOI新结构 ELTRAN Smart-cut 自加热效应 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。传统SOI结构是以SiO_2作为绝缘埋层，由于氧化硅的低热导率而使SOI器件／电路存在自加热效应，在SOI结构中引入新的埋层成为了解决这些问题的有效途径。本论文结合我们承担的973、国家自然科学基金项目等国家任务，开展了以Si_3N_4、SiO_2/Si_3N_4、SiO_2／Si_3N_4／SiO_2等为埋层的新型SOI结构等材料的制备、性能及其应用的研究。获得了以下主要结果： 采用X射线四晶衍射仪定量测试ELTRAN技术制备的SOI材料的顶层硅应变，分 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83094]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢欣云 . 非单一SiO_2埋层的SOI新结构研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。