GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李冰寒 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 夏冠群 |
| 关键词 | 器件研究:5515 材料生长:5412 量子阱结构:2950 应变量子阱:2655 GaAs:2332 集电结:2272 GaSb:2272 AlGaInP:1893 欧姆接触:1812 峰值波长:1375 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于它们具有独特的能带结构和性质，在微波器件、光电器件、霍尔器件和红外元件等方面得到了广泛的应用。其中，GaAs基材料是目前研究最为成熟同时也是最重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，GaSb基材料则是中红外光电子器件的首选材料。本论文主要对GaSb基材料的分子束外延生长以及GaAs基材料在器件方面的应用进行了研究。内容包括：锑化物量子阱的分子束外延生长研究，AlGaInP／GaAs HBT直流特性研究，n-GaAs／AuGeNi欧姆接触研究；另外，本论文还研制了欧姆接触电阻率测试仪。得到了 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83098]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李冰寒 . GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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