InP基含锑基区DHBT的材料生长与器件研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 孙浩 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 齐鸣 |
| 关键词 | 双异质结双极晶体管（DHBT） 气态源分子束外延（GSMBE） InP GaAsSb |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | InP基双异质结双极晶体管（DHBT）卓越的频率特性使其在无线通信、光纤通信、卫星通信和雷达系统中具有广泛的应用潜力，成为国内外研究的热点。本文针对InP基DHBT所存在的关键问题，以改善和提高器件性能为目标，对InP基特别是含锑基区DHBT的材料生长和器件研制进行了多方面的探索研究，取得的主要结果如下：从能带排列上分析了传统lnP基InGaAs基区DHBT存在的问题，设计了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT材料结构，在集电区与基区之间插入一个n+-InP层，以降低集电结导带的势垒尖峰高度，克 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83104]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙浩. InP基含锑基区DHBT的材料生长与器件研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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