2um波段锑化物量子阱激光器参数设计与光栅制备研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘盛 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张永刚 |
| 关键词 | 锑化物 激光器 多量子阱 光栅 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本论文针对2um中红外波段InGaAsSb/GaSb多量子阱激光器的特点和存在的问题，对激光器参数进行了设计，对不同温度生长的InGaAsSb/GaSb多量子阱材料进行了性能表征，对采用全息曝光法制备短周期光栅的工艺进行了研究。取得了如下结果：采用一维方势阱模型对InxGa1-xAs0.02Sb0.98/GaSb量子阱激光器结构的带间跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算, 并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。当In的组分x为0.20，阱宽为10nm时，激射波长达到2m，势阱中的压应变约 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83111]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘盛. 2um波段锑化物量子阱激光器参数设计与光栅制备研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。