先进集成电路器件可靠性-高压N型器件热载流子效应和先进表征技术
文献类型：学位论文
| 作者 | 戴明志 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 |
| 关键词 | 热载流子注入 高压器件双强电场模型 衬底电流公式 退化公式 寿命公式 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 作为如液晶显示屏集成电路等的先进集成电路驱动器件，高压器件由于其特殊的结构与工艺，面临其特殊的热载流子注入效应，所以研究高压器件结构、工艺与热载流子注入效应的关系，不仅有助于对高压器件热载流子注入效应物理机制更加深入的理解，同时也具有广泛的工业应用前景。本论文对高压NMOS器件的热载流子注入效应进行了研究。高压NMOS器件，衬底电流曲线在出现一个峰值以后再次升高，经典的公式不能描述这一现象。结合理论研究、数学推导、模拟结果与实验数据，本文改进了衬底电流的公式，提出了高压器件双强电场模型，指出了电压、工艺与 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83114]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 戴明志. 先进集成电路器件可靠性-高压N型器件热载流子效应和先进表征技术[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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