新型结构HBT设计与材料生长研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 艾立鹍 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 齐鸣 |
| 关键词 | 异质结双极晶体管（HBT） 气态源分子束外延（GSMBE） GaAs InP InGaP InGaAs InGaAsP |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 异质结双极晶体管（HBT）是重要的高速电子器件，在微波/毫米波功率器件和单片集成电路（MMIC）方面具有重要的应用前景。双异质结HBT（DHBT）具有开启电压低、反向击穿电压高、输出功率大等特点，尤其适用于微波/毫米波功率放大等电路。但由于常规GaAs基和InP基DHBT结构在集电结处存在导带势垒尖峰导致的电流阻挡效应，从而使器件特性变差。为了优化GaAs基和InP基DHBT集电结设计，探索新的器件结构，本文以气态源分子束外延（GSMBE）技术为手段，结合理论模拟和分析，对新型结构DHBT的材料设计、外延 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83120]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 艾立鹍. 新型结构HBT设计与材料生长研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
入库方式： OAI收割
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