相变存储器加热电极与相变材料刻蚀工艺研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 冯高明 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器 Ge2Sb2Te5 纳米电极 干法刻蚀 工艺集成 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 为了实现相变随机存储器(PCRAM)的产业化，关键是低压低功耗和高速高密度的存储单元的工程化研究。要实现低压低功耗和高速高密度就必须制备出纳米尺度的小电极，进一步实现先进的相变材料与小电极的工艺集成，与之相关的相变材料的刻蚀工艺是非常关键的技术之一。本文围绕这些关键技术展开，取得了以下结果： 1． 系统研究了Ge2Sb2Te5(GST)的刻蚀工艺。CF4+Ar刻蚀结果表明CF4主要起化学反应作用，Ar起物理轰击作用，当CF4/Ar比例达到1/4的时候，GST刻蚀形貌保真度高。CHF3+O2刻蚀结果表明CH |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 137 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83148]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯高明. 相变存储器加热电极与相变材料刻蚀工艺研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。