不同源CMOS/SOI器件的总剂量辐射异同性研究及ESD保护电路的设计
文献类型：学位论文
| 作者 | 田浩 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | 绝缘体上硅 总剂量辐射效应 电荷产额 剂量增强效应 最劣偏置 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 由于SOI材料中绝缘埋层（BOX）的存在，使得SOI器件抗总剂量辐射能力不足，并且静电放电问题也较为严重，这两方面问题严重制约了SOI技术在空间环境中的应用。对器件进行总剂量辐射加固研究必须依靠地面上的辐射源进行辐射评估，因而理解不同辐射源的辐射机理以及它们与空间辐射粒子造成的辐射效应之间的异同性就成了研究SOI加固技术的关键。本文首先总结了天然空间辐射环境的总体性质，并对辐射效应机理进行了概括。在此基础上，利用阻止本领的衡量方法，结合国内外研究成果，分析了质子、电子以及X射线和60Coγ射线在氧化层中造 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83150]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田浩. 不同源CMOS/SOI器件的总剂量辐射异同性研究及ESD保护电路的设计[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
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