纳米尺度图形化衬底的制备及其在HVPE生长GaN中的应用
文献类型：学位论文
| 作者 | 王新中 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 齐鸣 |
| 关键词 | 氮化镓 氢化物气相外延 阳极氧化铝 纳米尺寸微区掩膜 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 第三代化合物半导体材料GaN因为其优异的特性，得到了越来越多的关注和应用。但由于缺乏合适的衬底材料，通过异质外延制备的GaN膜中普遍存在大量位错密度和残余应力，不利于GaN基器件性能的进一步提高。氢化物气相外延(HVPE)技术由于生长速率高、成本低廉，被公认为最有希望制备GaN自支撑衬底的一种方法。本论文围绕纳米尺度图形化衬底的制备及其在HVPE中改善GaN厚膜质量进行研究，通过采用均匀分布的纳米量级的微区掩膜，一方面提高GaN膜中的均匀性，另一方面降低其中的位错密度并释放GaN膜中的应力。获得的主要结果 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83163]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王新中. 纳米尺度图形化衬底的制备及其在HVPE生长GaN中的应用[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
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