SOI衬底上SiGe HBT材料和器件研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈超 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 绝缘层上硅(SOI) 含有硅化物埋层的SOI材料 SiGe HBT 三维电路 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 随着微电子技术的快速发展及其应用领域的不断扩大，电子和通信业界对于现代电子元器件、电路小型化、高速度、低电源电压、低功耗和提高性价比等方面的要求越来越高。BiCMOS技术，特别是SOI BiCMOS技术，因为兼具CMOS电路高集成度、低功耗的优点和双极电路高速、强电流驱动能力的优势，能够满足多方面性能需要并且具有广阔的应用前景。本论文正是在上述背景下，结合我们承担项目开展了一系列研究工作，主要包括以下几个方面：第一，制备顶层硅重掺杂、厚埋氧层、顶层硅厚度均匀性好的四英寸SOI材料；第二，探索含有硅化物埋层 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83165]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈超. SOI衬底上SiGe HBT材料和器件研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。