新结构SOI材料与器件物理研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 朱鸣 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 林成鲁 ; 朱剑豪 |
| 关键词 | 绝缘体上的硅(SOI) 自加热效应 浮体效应 等离子体浸没式离子注入 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 集成电路正在从微电子时代发展到微纳电子时代,现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限,遇到了严峻的挑战,必须在材料和技术上有重大突破。SOI(Silicon on Insulator)技术能突破体硅材料与集成电路的限制,将成为微纳电子时代取代现有体硅材料的核心支撑技术之一。SOI技术和体硅技术相比拥有许多不可比拟的优势,然而,传统SOI材料中低热传导率的SiO_2埋层所引起的自加热效应,阻碍了SOI技术在高温、高压领域的进一步发展。因此,寻找具有高热传导率的SiO_2埋层的替代者就变得非常重要。 本论文正 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83180]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱鸣 . 新结构SOI材料与器件物理研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
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