电介质刻蚀机理研究及其在深亚微米集成电路制造中的应用
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈乐乐 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 |
| 关键词 | SiO2刻蚀 Si3N4刻蚀 光学发射光谱 刻蚀腔条件 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 电介质等离子体干法刻蚀是大规模集成电路制造中最关键的工艺之一。随着大规模集成电路制造朝着更高集成度，更小关键尺寸的方向发展，特别是在深亚微米的尺寸条件下，对工艺的精度和可重复性要求越来越高，对电介质刻蚀机理的深入理解也变得非常必要。本论文利用上海宏力半导体制造有限公司先进的8英寸集成电路制造设备，把论文研究和生产实践相结合。 本论文首先对SiO2的刻蚀机理做了深入的研究。实验证明了在高能离子的轰击作用下，CF2是刻蚀SiO2的刻蚀剂。其机理是在离子轰击的帮助下，聚合物会解析出F原子，并用于SiO2的刻蚀。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83196]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈乐乐. 电介质刻蚀机理研究及其在深亚微米集成电路制造中的应用[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
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