先进三栅闪存器件工作特性及耐久性的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 曹子贵 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 |
| 关键词 | 三栅分栅闪存 耐久性 陷阱束缚电荷 耐久性优化 器件尺寸缩小 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 耐久性问题是存储器件最重要的可靠性问题之一。三栅分栅闪存器件由于特殊的物理结构和工作方式，不仅导致其特有的器件特性，而且引入了新的可靠性问题。本论文结合直流电压应力和UV方式，研究了三栅分栅闪存器件耐久性退化机理，第一次发现多晶到多晶的F-N电子隧穿擦除操作引起的隧穿氧化物束缚电子是导致三栅分栅闪存器件退化的主要原因。基于器件耐久性退化机理，结合三栅分栅闪存特殊的结构和操作方式，提出陷阱束缚电子密度与器件擦除后阈值电压漂移的关系模型，讨论了模型参数的测量模型和方法，并结合软件的模拟和实验测量，验证了陷阱束 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 98 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83204]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹子贵. 先进三栅闪存器件工作特性及耐久性的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。