新型III-V族探测器与激光器的GSMBE生长和特性表征研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 顾溢 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张永刚 |
| 关键词 | III-V族化合物半导体 气态源分子束外延 探测器 激光器 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本工作针对几种新型III-V族半导体探测器与激光器，结合气态源分子束外延的特点和优势，侧重研究和解决了若干材料生长和表征方面的技术难题，发展和优化了器件结构设计和材料外延工艺，研制出一系列具有器件质量的外延材料，取得主要结果如下： 1、完成了面向空间遥感应用InP基短波红外InGaAs探测器材料体系和结构的创新设计及生长工艺的开发和优化，使材料和器件性能获得显著提高。 2、首次发现间接带隙材料Al0.52In0.48P掺杂浓度随掺杂源温度升高存在掺杂跳变现象，并研制了GaAs基AlInP/GaInP高性能 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83210]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾溢. 新型III-V族探测器与激光器的GSMBE生长和特性表征研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
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