相变存储器芯片集成工艺关键技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 徐成 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器 加热层材料 新型相变材料 工艺集成 器件失效 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 为加速相变随机存储器（PCRAM）的工业化进程中，开展了高速相变材料、低压低功耗新器件结构以及芯片工艺集成技术的研究，并对器件进行了失效分析，取得了以下创新成果： (1) 研究了新型相变材料Sn掺杂Ge2Sb2Te5(GST)。Sn的掺入使新材料具有结晶温度低、结晶速度快等优异性能。在降低RESET电流的同时还提升了材料的抗干扰性。为达到应用目的，研究了其在CHF3/O2条件下的刻蚀工艺，找到了最优化的刻蚀工艺，并在PCRAM器件应用中得到了80 ns的SET脉冲宽度，远远快于基于GST的PCRAM器件。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 120 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83218]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐成. 相变存储器芯片集成工艺关键技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
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