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相变存储器芯片集成工艺关键技术研究

文献类型:学位论文

作者徐成
学位类别博士
答辩日期2009
授予单位中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  
导师宋志棠
关键词相变存储器  加热层材料  新型相变材料  工艺集成  器件失效 
学位专业微电子学与固体电子学
中文摘要为加速相变随机存储器(PCRAM)的工业化进程中,开展了高速相变材料、低压低功耗新器件结构以及芯片工艺集成技术的研究,并对器件进行了失效分析,取得了以下创新成果: (1) 研究了新型相变材料Sn掺杂Ge2Sb2Te5(GST)。Sn的掺入使新材料具有结晶温度低、结晶速度快等优异性能。在降低RESET电流的同时还提升了材料的抗干扰性。为达到应用目的,研究了其在CHF3/O2条件下的刻蚀工艺,找到了最优化的刻蚀工艺,并在PCRAM器件应用中得到了80 ns的SET脉冲宽度,远远快于基于GST的PCRAM器件。
语种中文
公开日期2012-03-06
页码120
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83218]  
专题上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文
推荐引用方式
GB/T 7714
徐成. 相变存储器芯片集成工艺关键技术研究[D]. 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  . 2009.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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