深亚微米高压集成电路中LDMOS的建模与工艺集成
文献类型：学位论文
| 作者 | 王磊 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 |
| 关键词 | 高压器件 LDMOS 准饱和效应 双峰衬底电流 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 随着便携式多媒体设备、手机、笔记本电脑和液晶电视等消费电子的迅速普及，液晶显示驱动芯片的设计和制造已经成为一个高速发展的产业。液晶显示驱动芯片是一类典型的高压集成电路，整合了标准低压CMOS器件、中压器件及高压器件等多种器件，以形成有效的SoC解决方案。本论文系统研究了深亚微米高压集成电路中LDMOS管的电学特性以及工艺整合。主要内容包括： 1）解决了高压器件与传统中低压器件无缝集成的问题，并从两个方面探讨了工艺对高压LDMOS管亚阈区特性的影响。一方面从优化STI顶部边缘形貌入手，提升了器件的栅氧化层可 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83224]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王磊. 深亚微米高压集成电路中LDMOS的建模与工艺集成[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
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