SOI基集成光波导器件及表面粗糙度改善的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 高凡 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张峰 |
| 关键词 | 集成光学 SOI脊形波导 电感耦合反应离子刻蚀 侧壁粗糙度 散射损耗 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 与传统材料不同,SOI特有的结构特点所带来的优势使其同时具有优异的光学性能和电学性能,且其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本SOI基集成光电子回路。不仅无源和有源光电子器件可以在SOI材料上制备,MEMS器件也可以做在SOI衬底上。SOI技术代表了微电子和光电子领域的的发展方向。本论文对SOI大截面脊形波导器件及其脊形波导侧壁表面粗糙度的改善进行了研究。 SOI光波导采用脊形波导结构可以实现大截面尺寸波导的单模传输。采用有效折射率方法(EIM)使三维脊形波导等效成二维平板波导,利用有限差分光束传输 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83232]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高凡 . SOI基集成光波导器件及表面粗糙度改善的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
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