InGaAs/InP HBT的直流特性分析与设计
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈雷东 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 曹俊诚 |
| 关键词 | InGaAs/InP HBT 复合集电极 δ掺杂 开启电压 I-V输出特性 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本文设计了一种新材料结构的InGaAs／InP双异质结晶体管(DHBT)，并利用双异质结电流模型计算和分析了材料结构参数对InGaAs／InP DHBT集电极电流、复合电流、电流增益、I—V输出特性和开启电压的影响，主要研究内容和结论包括： 1．设计了一种新结构的InGaAs／InP DHBT发射极采用δ掺杂层和阻挡层结构，集电极采用N~+复合集电极结构，采用这种结构时，InGaAs／InP DHBT可以获得低的开启电压、高的反向击穿电压、良好的I—V输出特性和高的截止频率。 2．建立了一个双异质结电流计 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83236]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈雷东 . InGaAs/InP HBT的直流特性分析与设计[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2003. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。