复合离子注入形成SOI结构及其结构和性能的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 易万兵 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦 ; 陈猛 |
| 关键词 | SOI SIMON Hydrogen Nitrogen Total-Dose effect Irradiation |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | SOI(Silicon On Insulator)技术在军用、航天和商业领域都已取得突破性进展，但仍然存在一些问题。本论文主要研究氢氧共注入以降低SIMOX SOI圆片生产成本，和氮氧共注入形成新结构以提高抗总剂量辐照性能。 实验发现SIMOX SOI圆片的制备过程中引入氢离子，样品结构会产生比较大的变化。氢致缺陷的存在使成核速率变大，氢的存在加速氧的扩散速率，使得退火时氧的内扩散和外扩散同时增强，并促进氧沉淀的生长，从而导致埋层增厚。室温氢离子注入比高温注入增厚效应明显。实验中，我们得到了增厚10％的连 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83264]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 易万兵 . 复合离子注入形成SOI结构及其结构和性能的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2003. |
入库方式： OAI收割
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