半导体激光器的热特性及封装技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 何友军 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张永刚 |
| 关键词 | 半导体激光器:7882 热特性:3125 封装技术:3105 多量子阱激光器:2255 量子级联激光器:2255 脊波导:1571 InGaAsP:1362 InGaAs／InP:1181 散热效果:1168 烧结方式:1092 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本学位论文工作主要围绕半导体激光器的热特性及封装技术两方面展开，以1.3μm InAsP／InGaAsP脊波导多量子阱激光器和InAlAs／InGaAs／InP中红外量子级联激光器为研究对象，针对半导体激光器材料和结构特点，通过模拟和实验分析解决激光器的散热。其主要内容如下： 1．在商用有限元软件基础上，研究和开发了激光器热特性的模拟分析方法。采用这方法，对1.3μm InAsP／InGaAsP脊波导多量子阱激光和8μm InAlAs／InGaAs／InP中红外量子级联激光器外延层朝下和衬底层朝下两种烧结 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83273]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何友军 . 半导体激光器的热特性及封装技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2003. |
入库方式： OAI收割
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