高阻硅基微带线及微波数字移相器研制
文献类型：学位论文
| 作者 | 罗源 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 孙晓玮 |
| 关键词 | 高阻硅 微带线 移相器 PHEMT |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 现代微波器件和电路的发展，趋向于小型化、低成本以及低功耗的设计和工艺制作。由于微波信号在普通硅衬底上具有很大的损耗，传统集成的微波器件和芯片只能在具有低损耗特性的砷化镓衬底制备，具有成本昂贵，无法与传统硅加工工艺兼容等缺点。为了改善集成电路硅材料的衬底损耗特性，人们提出许多不同的解决方法。由于高阻硅材料的电阻率较单晶硅有大幅度提高，衬底耦合电流减小，使传输线的介质损耗特性得到极大的改善，预期可获得较好的传输特性。 高阻硅基微带传输线是在高阻硅基上实现微波无源、有源及微波集成电路的重要构成基础。本文对高阻硅 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83281]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗源 . 高阻硅基微带线及微波数字移相器研制[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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