GaN的刻蚀、P型欧姆接触以及LED的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘北平 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 李晓良 |
| 关键词 | 氮化镓 发光二极管 干法刻蚀 感应耦合等离子体 P型欧姆接触 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | GaN材料及器件近年来成为研究的热点，尤其是GaN发光二极管(LED)。这主要是因为GaN蓝绿光LED产品的出现从根本上解决了白光发光二极管三基色缺色的问题。GaN蓝、绿光LED具有体积小、冷光源、响应时间短、发光效率高、防爆、节能、使用寿命长(使用寿命可达10万小时以上)等特点。因此GaN发光二极管在大屏幕彩色显示、车辆及交通、多媒体显像、LCD背光源、光纤通讯等领域大有用武之地。本论文重点研究了GaN-LED制作中的感应耦合等离子体刻蚀以及p型欧姆接触电极的制作，并得出了以下结果： 使用国产的ICP- |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83286]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘北平 . GaN的刻蚀、P型欧姆接触以及LED的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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