锑化物激光器、探测器的刻蚀工艺以及电化学C-V技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 洪婷 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张永刚 |
| 关键词 | 锑化物:6396 电化学:3621 探测器:3549 刻蚀速率:3514 刻蚀工艺:2688 气体组分:2114 多量子阱激光器:1896 技术研究:1713 腐蚀液:1361 湿法:966 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本论文工作围绕2μm中红外波段AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和器件工艺中存在的问题,对其相关材料的湿法干法刻蚀以及电化学C-V(EC-V)载流子浓度剖面测量技术进行了研究和改进,取得了如下结果: 一.研究了锑化物材料的湿法腐蚀机理并改进了腐蚀工艺,对基于氢氟酸的两种腐蚀液(HF-NaKT-H_2O_2、HF-H_2O_2)的腐蚀特性进行了研究。实验结果表明这两种腐蚀液对GaSb和AlGaAsSb的腐蚀速率稳定,在较低的腐蚀液浓度时可对腐蚀速率进行精确 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83290]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 洪婷 . 锑化物激光器、探测器的刻蚀工艺以及电化学C-V技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
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