SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 狄增峰 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张苗 ; 林成鲁 |
| 关键词 | SiGe 绝缘体上的硅(SOI) 绝缘体上的锗硅(SGOI) 应变硅 高K栅介质 等离子浸没式离子注入 自加热效应 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 随着芯片制造业遵循摩尔定律向大尺寸晶圆450mm、光刻线宽nm级、高精度、高效率、低成本发展，集成电路也逐步从微电子时代发展到微纳米电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限，遇到了严峻的挑战。应变硅技术、SOI(Silicon-on-Insulator)技术和高K栅介质材料是三项在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的，有独特优势、能突破体硅材料与硅集成电路限制的新兴技术。 本论文正是在上述背景下，结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所和香港城市大学应用物理与材料科学系的实验条件，在国家自然 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83325]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 狄增峰 . SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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