太赫兹场作用下低维半导体光学特性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 米贤武 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 曹俊诚 |
| 关键词 | 太赫兹 量子阱 子带跃迁 超晶格 吸收 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 太赫兹场作用下的低维半导体的带间和子带间的相干动力学过程是当前理论和实验研究的热点。在太赫兹场作用下,低维半导体器件表现出许多有趣的物理现象。本学位论文用密度矩阵理论研究了太赫兹场作用下量子阱的带间和子带间光学特性;研究了超晶格半导体在太赫兹场作用下的光吸收谱及带间动力学过程。研究结果对深入理解外场作用下低维半导体中载流子相干动力学过程以及光吸收谱特性具有重要的学术价值。本论文主要内容和结论包括: 1、用密度矩阵理论研究了太赫兹场作用下量子阱的光吸收谱。当量子阱受到太赫兹场作用时,激子峰出现分裂,光吸收谱 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83338]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 米贤武 . 太赫兹场作用下低维半导体光学特性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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