氢化物气相外延生长GaN材料及其物性分析
文献类型：学位论文
| 作者 | 雷本亮 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 齐鸣 ; 于广辉 |
| 关键词 | 氮化镓 氢化物气相外延 成核 插入层 微区掩膜 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 近年来，GaN基半导体材料和器件取得了很大的进展，但是由于缺乏合适的衬底，限制了器件性能的进一步提高。氢化物气相外延(HVPE)技术由于生长速率高，能提供生长GaN自支撑衬底而逐渐受到重视。本文对HVPE生长GaN材料进行了研究，主要包括几个方面：第一，建立和完善HVPE系统，并模拟和设计反应室；第二，对HVPE外延生长GaN的成核生长进行研究；第三，采用一些新的方法提高GaN外延层的质量，降低位错密度等。获得的主要结果如下： 1、建立并完善了HVPE系统，采用计算流体力学有限元分析软件Fluent模拟并 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83340]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷本亮 . 氢化物气相外延生长GaN材料及其物性分析[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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