SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备
文献类型：学位论文
| 作者 | 金波 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | SiGe SOI Strained Silicon |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 应变硅(Strained Silicon)材料是一种新型的电子材料,主要是利用异质外延技术,在弛豫的锗硅(Relaxed SiGe)合金衬底上制备得到一层处于双向压应力状态下的硅层。由于应变硅层中硅的能带在应力状态下由六个能谷分裂为4个高能能谷和2个低能能谷,因而能够同时提高空穴和电子的迁移率,用作器件的沟道材料能够兼顾器件的高速度和低功耗的要求。并且应变硅材料和现有的硅集成电路的工艺完全兼容,对超大规模集成电路的发展有着相当重要的意义。 通常制备应变硅材料,需要高度弛豫、位错密度较低的SiGe合金作为衬 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83344]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金波 . SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
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