SOI光波导器件及其增透膜的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 王永进 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 ; 张峰 |
| 关键词 | SOI脊形波导 增透膜 电感耦合反应离子刻蚀 散射损耗 原子力显微镜 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 由于其特殊的结构,SOI(Silicon-on-insulator)材料具有优良的光学和电学性能,为超大规模集成电路(VLSI:Very Large Scale Integration)和平而波导技术提供了一个共同的平台。SOI光波导制作工艺与成熟的硅基CMOS工艺相兼容,SOI材料不仅可以制备无源和有源光电子器件,而且还可以和MEMS器件集成。SOI材料上的光电器件的单片集成是光电子产业的发展方向。本论文对SOI大截面脊形波导器件及其相关的增透膜进行了研究。 为减少SOI波导端面菲涅耳反射损耗,寻找合适 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83350]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永进 . SOI光波导器件及其增透膜的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。