离子注入掺Er富硅氧化硅材料研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 张昌盛 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张峰 |
| 关键词 | 离子注入 EDWA 光致发光 富硅氧化硅 Forster临界半径 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | Er~(3+)在石英基体材料中受激光致发光的波长大约是1540nm,这个波长是石英光纤的最小损耗窗口,因而是以石英光纤为基础的光通讯的标准波长之一。掺铒光纤放大器(EDFA)作为获得光增益的媒质是光纤通讯系统中极其重要的组成部分。当前正在快速发展的城域网(MAN)、局域网(LAN)以及光纤到户(FTTH)等系统中对波分复用(WDM)/密集波分复用(DWDM)光信号能量衰减的补偿需要可集成的紧凑型、低成本掺铒光波导放大器(EDWA)。然而,Er~(3+)在体硅中具有固溶度低和发光强度温度淬灭强的缺点,难以达 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83352]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张昌盛 . 离子注入掺Er富硅氧化硅材料研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
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