图形化SOI射频功率器件研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 程新红 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 俞跃辉 |
| 关键词 | 图形化SOI LDMOSFET 射频功率器件 增益 高-k栅介质 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 迅速发展的无线通讯技术推动射频集成电路向着高速、低功耗和更高集成度的方向发展,这时,传统的GaAs和体硅衬底平台将面临散热和功率耗散等棘手的问题。在这种情况下关于新的衬底材料的研究应运而生。另一方面,由于SOI(Silicon-on-Insulator)技术具有更好的隔离性能、理想的亚阈值特性和较低的功率消耗等特点,日益成为半导体行业发展的主流技术。但是,SOI技术面临浮体效应和自加热效应。 而采用埋氧层是间断的图形化SOI衬底是解决浮体效应和自加热效应的最简单的方法。鉴于此,本文对图形化SOI衬底上的射 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83356]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红 . 图形化SOI射频功率器件研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
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