锑化物激光器、探测器MBE生长与物理研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 唐田 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张永刚 |
| 关键词 | 分子束外延 多量子阱 锑化物 激光器 探测器 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本论文针对2μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特性和存在的问题,对激光器和探测器的材料物理、MBE生长和工艺优化进行了系统的研究,取得了如下结果: 计算了2μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb应变多量子阱激光器的增益谱,系统研究了应变、阱宽对增益谱的影响,得出提高应变或减小阱宽能提高激光器增益的结论。 对2μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb激光器的波导层进行了研究,应用传递矩阵法在有效折射率框架下计算了平板波导的光限制因子,进行了加宽波 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83358]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐田 . 锑化物激光器、探测器MBE生长与物理研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
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