SGOI材料的SIMOX制备技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈志君 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2005 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张峰 |
| 关键词 | 掩盖注氧隔离技术 氧化增强注氧隔离技术 绝缘体上的锗硅 应变硅 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | SGOI(SiGe-on insulator, SGOI)材料同时具备SiGe材料和SOI材料的双重特点,因而成为应变硅技术应用的新型衬底材料。利用SGOI材料作为衬底生长的应变硅材料,由于载流子迁移率的提高,可以实现现有线宽下,CMOS性能的提高。然而,载流子迁移率的提高效率是由应变硅的应变大小决定的,也就决定于SGOI中锗含量大小。理想的SGOI衬底要求锗含量达到30%以上以使电子、空穴迁移率提高到饱和值。但是,目前30%锗含量的SGOI材料的制备还面临相当的困难。利用SIMOX技术制备的SGOI材料 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83360]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈志君 . SGOI材料的SIMOX制备技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2005. |
入库方式： OAI收割
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