气态源分子束外延材料生长及特性和量子级联激光器材料生长研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李华 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张永刚 ; 李爱珍 |
| 关键词 | 气态源分子束外延 量子级联激光器 Ⅲ-Ⅴ族化合物 X射线衍射 掺杂行为 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本学位论文围绕量子级联激光器(QCL)的材料生长、特性和气态源分子束外延(GSMBE)技术为主线展开。本文针对量子级联激光器对InP基、GaAs基异质纳米结构材料的要求，对材料的气态源分子束外延生长、质量控制和特性进行了深入的研究和分析，达到有所发现、有所创新，指导器件结构和生长工艺优化，研制出器件质量的QCL材料。主要结果如下： 1、用GSMBE技术生长了高质量的与InP和GaAs晶格匹配的Ⅲ-Ⅴ族基础材料，包括InP衬底上生长InP、InGaAs、InAlAs和在GaAs衬底上生长AlGaAs等。其中 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83376]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李华 . 气态源分子束外延材料生长及特性和量子级联激光器材料生长研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
入库方式： OAI收割
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