GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 隋妍萍 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 齐鸣 ; 于广辉 |
| 关键词 | GaN 射频等离子体分子束外延 III/V比 Mg掺杂 光致发光 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | Ⅲ-N材料及其掺杂特性尤其是p型材料的性质，是影响其在电子和光电器件应用方面的主要因素。本论文内容围绕GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究展开。以探讨和解决高温微波器件用Ⅲ-N基材料的关键科学和技术问题为目标，重点对GaN材料特性及掺杂行为进行了深入的物理研究，取得了以下主要研究结果： 用RF Plasma MBE生长技术，通过对Ga束流清洗、高温氮化和低温缓冲层生长等工艺的优化，在白宝石衬底上外延GaN，获得了GaN的三维成核二维生长的生长模式。所得GaN材料XRD曲线半峰宽最佳值为5 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83384]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 隋妍萍 . GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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