MOCVD GaN材料的生长及其物理化学的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 胡金波 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1997 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 彭瑞伍 |
| 关键词 | MOCVD方法 生长 GaN外延层材料 生长过程 物理化学 |
| 学位专业 | 冶金物理化学 |
| 中文摘要 | 该文在GaAs衬底上用MOCVD方法成功生长了GaN外延层材料,并主要对其生长过程中的物理化学进行了详细的研究. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83674]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡金波. MOCVD GaN材料的生长及其物理化学的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 1997. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。