氩离子注入硅中的行为研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 胡建忠 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1995 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 徐景阳 |
| 关键词 | 离子注入 硅 氩离子 氧化层错 |
| 学位专业 | 材料物理 |
| 中文摘要 | 离子注入是将注入元素电离后加速到高能量打入金属或半导体等材料中的一种技术,经过十多年的研究与发展,离子注入已经发展成为一门表面优化处理的新技术.这种技术能使200余种工具、磨具和工件提高抗磨损和抗腐蚀寿命,用此种技术处理工件其尺寸不发生变化,因此它特别适用于精密机械加工.一些研究成果表明,离子注入技术突破了传统冶金学的规律,许多很难互溶的金属形成了新的合金相.使有关合金相、金属间化合物、固溶体、生成熵和焓的研究获得了新的成果.离子注入技术在半导体掺杂上曾经取得过很大的成果.它还应用在几十种半导体器件、半导 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83686]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡建忠. 氩离子注入硅中的行为研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 1995. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。