中国科学院机构知识库网格系统: 特种SOI材料、器件及SnO

文献类型：学位论文


作者	骆苏华
学位类别	博士
答辩日期	2006
授予单位	中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）
导师	张苗 ; 刘卫丽
关键词	HRSOI GPSOI SOG 无源器件 SnO_2纳米结构
学位专业	微电子学与固体电子学
中文摘要	SOI大大降低了RF模拟电路和数字逻辑元件的串扰，可以很容易和无源器件相集成，高阻抗SOI和GPSOI衬底加强了这些优势，在CMOS射频集成电路中吸引了广泛注意。本论文在大量调研的基础上，详细研究了SIMOX HRSOI和Smartcut~(?)方法制备GPSOI的工艺条件及其在单片集成电路中必不可缺少的、有多种应用的片上无源器件—CPW和集成电感。在本所的工艺线上进行了大量的实验研究，得到了以下主要结果： 1．成功地采用不同剂量注入制备了SIMOX HRSOI样品，突破了当前高阻SOI主要通过Smart
语种	中文
公开日期	2012-03-06
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83390]
专题	上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	骆苏华 . 特种SOI材料、器件及SnO_2纳米结构研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006.

入库方式： OAI收割

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