先进分栅闪存器件集成制造的整合与优化
文献类型：学位论文
| 作者 | 陶凯 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 ; 孔蔚然 |
| 关键词 | 分栅闪存 浮栅 隧穿氧化层 ISSG退火 器件尺寸缩小 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 集成电路制造是一门以微电子学为基础、涉及众多领域的新兴交叉学科。如何有效地对上千道复杂工序进行整合与优化，从而保证集成电路芯片的顺利生产是一个学术价值与市场价值兼备的课题。 本论文提出“利用模型指导整合与优化”的新理念，并以此为指导，结合实际生产中碰到的问题，对先进分栅闪存器件集成制造的生产工艺改进与器件性能改善进行了系统研究。 论文首先创立了“浮栅动态擦除方程”来描述器件的动态擦除特性，并通过解方程得到了“浮栅电位”的解析表达式。由于表达式中包含的器件结构参数可以通过实际测量与合理近似得到，因此浮栅电位 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83402]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陶凯 . 先进分栅闪存器件集成制造的整合与优化[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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