MOCVD TiN薄膜在先进集成电路制造中应用的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 易万兵 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 ; 杨华岳 |
| 关键词 | 氮化钛 半导体制造 薄膜电阻率 晶体结构 金属有机物化学气相淀积 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 在深亚微米(0.15μm及以下)集成电路制造中，后段工艺日趋重要，为降低阻容迟滞(RC Delay)，保证信号传输，减小功耗，有必要对后段工艺进行改进，Via阻挡层MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机物化学气相淀积)TiN是其中重要研究课题之一。 本论文基于薄膜电阻的理论分析，从厚度、杂质浓度和晶体结构三大薄膜电阻影响因素出发系统研究MOCVD TiN材料在平面薄膜上和真实结构中的各种性质，重点是等离子体处理(Plasma Treatment |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83404]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 易万兵 . MOCVD TiN薄膜在先进集成电路制造中应用的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。