掺Er:Al2O3和掺Er:nc-SiO2材料的制备与表征
文献类型：学位论文
| 作者 | 肖海波 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 导师 | 邹世昌 |
| 关键词 | 掺饵波导放大器 光致发光 Al2O3光波导材料 纳米硅 富硅氧化硅 |
| 其他题名 | Preparation and Characterization of Er-Doped Al2O3 Films and Er-Doped nc-SiO2 Films |
| 中文摘要 | 随着全光网络和光子集成技术的发展，掺饵光波导放大器（EDWA：Er Doped Wavestlide AmPlifier）作为较新的研究领域，正在受到越来越多科研工作者的重视。本论文采用离子束辅助沉积和离子注入法开展了掺Er：A12O3薄膜和掺Er:nc-Si／SiO2材料的研究。实验采用离子束辅助沉积和离子注入法制备了掺饵A12O3薄膜，研究了不同退火温度下，样品的成分、结构、表面形貌和化学价态。随退火温度的升高，Er离子被激活，样品的光致发光强度随退火温度升高而上升。样品在700℃退火下，折射率和粗糙度都达到最小值，影响了透射谱中此样品的透射峰强度和光吸收损耗，并影响了光致发光谱。论文对材料发光机理进行了一些探讨。有关微观结构的具体变化，及对材料光致发光机理的影响需要系统的研究。实验还采用Xe离子轰击的方法制备了非晶的Al2O3薄膜，研究了轰击对样品表面形貌的影响。论文还利用离子注入方法制备了纳米颗粒直径为2-4nm的nc-Si／SiO2材料，制备的Si纳米晶颗粒周围分布着大量的非晶硅。随退火温度升高，非晶硅层减少，晶化加强。论文制备了掺饵nc-Si／SiO2材料。研究了材料的微观结构，并测量了样品的光致发光谱，研究了材料的微观结构和掺Er后材料发光强度随测量温度的变化。实验对材料的发光机理进行了深入的探讨，发现存在于非晶氧化硅及其界面上的光激活Er离子，通过非晶硅与纳米硅相祸合，非晶硅的存在影响了纳米硅与Er离子间的能量传递，对Polman等人的纳米硅与Er的强祸合模型提出了改进。最后，论文初步开展了联合沉积法制备掺Er薄膜材料的工作。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 75 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83477]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖海波. 掺Er:Al2O3和掺Er:nc-SiO2材料的制备与表征[D]. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所. 2004. |
入库方式： OAI收割
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