特种SOI材料、器件及SnO2纳米结构研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 骆苏华 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006-06-06 |
| 授予单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 授予地点 | 上海微系统与信息技术研究所 |
| 导师 | 张苗 |
| 关键词 | HRSOI GPSOI SOG 无源器件 SnO2纳米结构 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | SOI技术与高阻衬底相结合具有降低衬底损耗、混合集成电路中的串扰、提高无源器件Q值等优点。高阻抗SOI和GPSOI衬底加强了这些优势，在CMOS 射频集成电路中吸引了广泛注意。而采用CMOS技术制作的RF前端电路具有提高集成度，降低成本，降低了功耗，提高成本率与可靠性等优点。因此把SOI技术和高阻相结合起来在CMOS电路中解决了混合信号集成电路的集成问题，同时把高频和低压、低功耗的特点相结合为移动通信降低成本提供了前提。当前各大公司象IBM、Mitsubishi、Oki等公司纷纷进行这方面的研究，争取在SOI射频电路中应用方面占领制高点。 最近，诸如管状、线状、棒状、带状、针状等一维（one-dimensional，1D）纳米结构成为了世界各国研究人员关注的焦点。这些一维纳米结构在介观物理和纳米器件中具有独特的应用。一维纳米结构为人们研究物质的电学、热传导、机械等性能和维度的关系提供了一种理想的研究对象。另外，一维纳米结构也可在纳米尺度的电子、光电子器件的制作中起到互连和功能单元的作用。氧化物是智能和功能材料的基础。近年来，氧化物以其物理特性可控的优势吸引越来越多的人们进行氧化物纳米结构的制备及其相关器件的研究。 该论文在详尽调研国内外SOI技术发展方向和当前国际前沿课题纳米材料和纳米科技的基础上，选择SOI技术应用于射频电路以及一维纳米结构的光学、电学性能方面，并且结合我们承担的国家重点基础研究任务，和上海市纳米技术专项等课题开展了以高阻SOI、GPSOI等新型SOI结构和SnO2纳米结构材料的制备、性能及其应用的研究。获得了多方面创新研究结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 117 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83486]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 骆苏华. 特种SOI材料、器件及SnO2纳米结构研究[D]. 上海微系统与信息技术研究所. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所. 2006. |
入库方式： OAI收割
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