超深亚微米工艺条件下基于模型的光学邻近效应修正方法的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 朱亮 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009-05-27 |
| 授予单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 授予地点 | 上海微系统与信息技术研究所 |
| 导师 | 邹世昌 |
| 关键词 | 分辨率增强技术 光学邻近效应修正 可制造性设计 亚分辨率辅助图形 光学和工艺邻近效应修正 |
| 其他题名 | Model-based OPC Methodology in Deep Sub-micron Semiconductor Technology |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 随着100nm以下技术节点图形化工艺被引入半导体工业中，分辨率增强技术（Resolution Enhancement Technique，RET）诸如光学邻近效应修正（Optical Proximity Correction，OPC）已成为修复物理设计者和光刻工程师之间沟通隔阂的标准方法。另一方面，可制造性设计（Design for Manufacturing，DFM）的理念也作为关键词被光刻和OPC技术反复提及，它减轻了设计和制造之间的复杂交互。 本论文在OPC前提出了可整合的RET方法，包括基于工艺窗口OPC模型的混合型亚分辨率辅助图形（Sub-resolution Assisting Feature，SRAF）完成方法和基于工艺窗口的两次曝光技术。作为完整的光掩模综合（Mask Synthesis）流程，包括OPC在内的RET方法很好的应对了不断缩小的特征尺寸带来的挑战。 传统的基于模型的OPC方法包含的工艺信息局限于光学部分。随着器件尺寸不断缩小，新物理现象不断涌现，本论文着眼于将这些物理因素整合入OPC实践。这些因子包括光刻胶斜坡效应、光刻胶多有效扩散长度现象、方角变圆效应等等。无论从模型校准或是图形修正结果看，考虑了这些因素的OPC修正方法都取得了更出色的准确性和稳定性。另外，在包含光掩模制造工艺、光学系统、光刻胶系统、蚀刻甚至化学机械抛光工艺在内的纯物理OPC模型成为可能之前，本文提出了基于光掩模制造工艺校准的OPC匹配流程。 本论文的另一贡献在于提出了广义OPC概念，即光学与工艺邻近效应修正（Optical and Process Proximity Correction）。关键尺寸微缩化的半导体工艺对修正方法提出了更高要求，这既针对光学邻近效应，也针对工艺邻近效应。本论文提出从DFM的视角来修正厚光刻胶套准量测中的工艺邻近效应问题。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 100 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83507]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱亮. 超深亚微米工艺条件下基于模型的光学邻近效应修正方法的研究[D]. 上海微系统与信息技术研究所. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所. 2009. |
入库方式： OAI收割
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