电镀法铟凸点阵列技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 黄秋平 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2011 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 罗乐 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 在红外焦平面芯片的制备过程中，铟凸点阵列制作及其倒装焊技术是其中的关键技术，利用该技术可实现红外探测器件与读出电路间的高密度互连。在该应用中，选择铟作为互连材料是由此类光电器件的互连要和铟自身的特有性质决定的：铟具有良好的塑性和冷焊性能，可克服由不同材料间的热适配带来的可靠性问题及实现较低温度下焊接，可满足该类应用中的特殊要求。另外，铟可制备小凸点、小间距、大规模、一致性好的凸点阵列，使焦平面阵列与读出电路间实现超高密度互连成为可能。 当前用于制作铟凸点阵列的方法主要有两种，即蒸镀法和电镀法。蒸镀法工艺成 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83584]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄秋平. 电镀法铟凸点阵列技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2011. |
入库方式： OAI收割
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