SOI圆片制备技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈猛 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2000 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | SIMOX制备技术 SOI圆片 高温退火工艺 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | SOI(silicon on insulator)是指绝缘材料上的硅.SOI技术实现了"摩尔"图上的跳跃,突破了体硅及其集成电路的限制,将逐步取代体硅成为CMOS等的主流技术,被国际上公认为是"二十一世纪的硅集成电路技术".该文开展了SIMOX SOI圆片制造技术的深入研究,拓展了SIMOX SOI圆片制备过程中的中低剂量和低能量注入等技术和新工艺,实现圆片质量的大幅度提高,得到以下结果:1)在4英寸Si圆片上制备了高剂量和低剂量、低能量的局部SOI圆片;2)解决了表层硅的反型问题;3)拓宽了亚临界剂量下 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83716]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈猛. SOI圆片制备技术研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） . 2000. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。