Ⅲ-N材料的RF Plasma MBE生长及物理研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李伟 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2001 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 李爱珍 |
| 关键词 | GaN 射频等离子体分子束外延 掺杂 极化效应 调制掺杂 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 该论文内容围绕Ⅲ-N材料生长及物理研究展开.整个论文工作从建立射频等离子体分子束外延生长设备起步,最终目标面向AlGaN/GaN异质结构高温、高迁移率场效应管器件,取得了以下主要研究结果:1.作为主要人员之一,建立和调试了RFPlasmaMBE设备和紫外-可见He-Cd 光源光栅光谱仪.2.采用RF PlasmaMBE方法,进行白宝石衬底上外延GaN的生长及其机理和特性研究.3.深入研究了GaN中Si的掺杂行为,获得1×10<'17>cm<'-3>到1×10<'20>c |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83724]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李伟. Ⅲ-N材料的RF Plasma MBE生长及物理研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2001. |
入库方式： OAI收割
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