PLZT系铁电薄膜材料的制备及性能研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 雷永明 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1997 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 郭懋端 |
| 关键词 | 射频磁控溅射法 沉积 PZT PLZT薄膜 铁电薄膜 |
| 学位专业 | 金属材料与热处理 |
| 中文摘要 | 铁电薄膜材料是当今功能材料研究的一个热点.它在非挥发性存储器、超大容量动态随机存取存储器、集成电光器件、光学倍频器、热释电红外探测器及探测器阵列等方面的应用前景吸引了大批科学工作者来从事铁电薄膜的制备以及铁电薄膜与半导体工艺集成等先进技术的研究.该论文主要制备了锆钛酸铅PZT(52/48)和PLZT(5/65/35和9/65/35)烧结陶瓷靶,在未加热的Pt/Ti/SiO<,2>/Si衬底上用射频磁控溅射法沉积了PZT和PLZT薄膜,通过适当的溅射后热处理使薄膜的晶相发生转变,获得相纯的钙钛矿 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83731]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷永明. PLZT系铁电薄膜材料的制备及性能研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 1997. |
入库方式： OAI收割
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