MOCVD技术的应用
文献类型：学位论文
| 作者 | 孙一军 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1999 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 夏冠群 |
| 关键词 | 薄膜 2> 超细粉 纳米级超细粉 GaN TiO< 化学气相沉积 |
| 学位专业 | 材料科学与工程 |
| 中文摘要 | 该文以GaN薄膜和TiO<,2>纳米级超细粉为例,详细讨论了MOCVD技术在这两个方面的应用.在薄膜应用方面该文是以GaN为例.详细讨论了GaN及其有关材料的基本性质,包括结构特性、化学特性、电学特性和光学特性等.综述了GaN材料的研究现状、制备方法及优缺点,阐述了MOCVD方法制备GaN材料的重要意义,指出了GaN材料的应用前景.然后采用MOCVD方法制备了GaN薄膜材料,研究了工艺条件包括Ⅴ/Ⅲ比、沉积温度和缓冲层对薄膜性质的影响规律.在超细粉的应用方面是以TiO<,2>纳米级 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83734]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙一军. MOCVD技术的应用[D]. 北京. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 1999. |
入库方式： OAI收割
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