2μm锑化物激光器、探测器材料、器件及物理
文献类型：学位论文
| 作者 | 林春 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2001 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 李爱珍 |
| 关键词 | 分子束外延 锑化物 激光器 探测器 应变多量子阱 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 该论文针对中红外2μm波段AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSbPIN探测器的特点和存在的问题,对激光器和探测器的结构进行了设计,并进行了锑化物材料的固态源分子束外延(SSMBE)生长、激光器和探测器制备以及材料与器件表征的研究,取得了如下结果: 用固态源分子束外延方法在(001)GaSb衬底上生长了高质量的InGaAsSb、AlGaAsSb和AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料.研究了外延生长条件如生长温度等对InGaAsSb本底载流子浓度的影响.通过对AIGaAs |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83768]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林春. 2μm锑化物激光器、探测器材料、器件及物理[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2001. |
入库方式： OAI收割
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