掺杂对MTG-YBCO临界电流密度的影响
文献类型：学位论文
| 作者 | 邹小卫 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2001 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张宏 |
| 关键词 | 元素替代 掺杂 MTG-YBCO 钉扎机制 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | 该论文探索了采用元素替代和掺杂引入新的钉扎中心,改善MTG-YBCO临界电流密度J<,C>特性,廉价碱金属Na和Sm211不仅提高了MTG-YBCO低场J<,C>特性,同时诱发了J<,C>~H曲线在IT附近的第二峰,成功地改善了其较高场性能.微观结构和超导性能的研究确认存在新的钉扎中心,因此我们对这类材料中的磁通行为和钉扎机制进行了研究,探讨并提出了这种钉扎是由于成分不均匀分布而导致ΔT<,C>效应,为改善MTG-YBCO的J<,C>特性提出了一 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83774]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹小卫. 掺杂对MTG-YBCO临界电流密度的影响[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2001. |
入库方式： OAI收割
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